今天这期
,懂芯小枣君重点来聊聊封装的片的篇具体工艺流程。 之前介绍了,封装封装封装有很多种形式,工艺包括传统封装和先进封装。传统 不同的懂芯封装
,流程和工艺不一样
。片的篇我整个写完之后
,封装封装发现字数太多(1万多字)。工艺为了降低阅读难度 ,传统我决定拆成两篇(传统封装篇、懂芯先进封装篇)来发。片的香港云服务器篇 今天先发的封装封装,是工艺传统封装篇 。 传统封装 ,大致流程是这样的
: 我们一个个来看。 传统封装的第一步 ,是对晶圆进行减薄()——通过研磨晶圆背面的方式,减少晶圆的厚度(从原始的亿华云600–800μm减薄到几十至一百μm,甚至更薄) 。 减薄的目的主要有三个: 一是减小芯片的尺寸,满足封装的要求 。 二是获得更好的散热效果。 三是提升电学性能,降低寄生效应(芯片过厚会增加寄生电容和信号传输延迟)和导通电阻 。 减薄也需要注意,建站模板避免影响晶圆的机械强度,否则可能导致晶圆在后面的工艺中发生破裂
。另外,减薄过程中产生的热应力 ,也可能导致晶圆弯曲、报废。 目前减薄所采用的工艺,就是晶圆制造那期说的CMP机械化学研磨那些。 减薄之后,要开始正式切割(Dicing)了。 切割前,在晶圆的正面覆盖一层保护蓝膜 ,以防止在切割过程中晶粒受损。 晶圆非常脆弱。随着时间的推移
,芯片的精密度越来越高 ,晶圆上芯片的间隙越来越小 ,对切割技术的要求也就随之增加。 早期常用的源码下载切割方式
,是机械切割。通过高速旋转的超薄金刚石刀片,沿着晶圆上预先设定的沟槽(即晶圆划线),就可以完成切割。 切割过程中,会用纯水冲洗,进行冷却 ,同时去除碎屑。 机械切割比较简单、成本较低
,但是,云计算切割精度不高、速度慢、容易出现崩边等问题,所以
,逐渐被淘汰。 后来
,就有了激光切割
,也就是通过高能量激光束进行切割
。 激光切割也分为全切和隐切两种。 全切:激光束直接照射在晶圆表面,贯穿整个晶圆厚度,完全切断晶圆 。这种方法切割速率极快
,但会产生碎屑和热量,需要进行清理和冷却
。 隐切:分为两步,首先使用激光束聚焦于晶圆的内部,在晶圆内部形成微细的裂纹,而表面保持完整 。然后 ,通过机械手段,均匀拉伸贴在晶圆背后的胶带。随着胶带的扩展,晶圆上的单个芯片沿着激光预切割的路径分离开来
,完成切割 。 激光隐切避免了传统激光切割的热损伤问题,非常适用于超薄半导体硅片的高速和高质量切割。 再后来,又出现了等离子切割
。 它通过将气体等离子化
,使等离子与切割道内的硅反应,完成切割。 等离子切割速度快
、损伤小,特别适用于超小尺寸芯片的切割 。同时,它可以减少切割道的宽度
,增加圆片设计的芯片数量 ,进一步降低芯片成本。 晶粒切割下来之后
,需要进行贴片(粘连,Die Attach)
。 传统封装的贴片,是把晶粒和封装基板(Substrate)粘接起来
。 封装基板 ,又叫IC载板,是一种特殊的PCB印刷线路板 。 它具有高密度、高精度、轻薄化的特点,能够为芯片起到支撑、连接、散热和保护的作用
。 传统封装中常用的粘接方式包括胶粘剂粘接、焊接粘接、共晶粘接
。 环氧树脂,是常用的有机胶粘剂 。通过热固化,可以达到粘接目的。 环氧树脂本身绝缘,如果掺入一定比例的银粉 ,就具备了导电的能力
,变成导电胶,也称为银胶,应用更广泛。 焊接粘接,是通过熔融焊料实现芯片与基板连接
,包括软钎焊(使用低熔点的焊料,如锡铅合金)和硬钎焊(使用高熔点的焊料 ,如金硅合金)。 共晶粘接,利用两种或多种金属在共晶温度下形成共晶合金 ,来实现连接。连接强度高、导热性能好 ,但是工艺复杂、成本较高
。 贴片会用到贴片机。贴片机也有很多种,包括SMT贴片机、先进封装贴片机等
。 贴片对精度的要求很高
,如果发生哪怕很小的偏差,都可能导致芯片无法工作。 在贴片的过程中,也需要考虑可能造成的机械损伤,以及贴片材料可能引起的热传导问题(无法正常散热)。 (再次提醒注意:这篇讲的是传统封装。现在普遍使用的是先进封装
,工艺有很大的区别
。大家千万不要生搬硬套 。) 贴片之后,还要将晶粒与基板进行电气连接。 传统封装都是通过金属线进行连接,所以也叫焊线工艺
。 焊线 焊接的时候 ,需要通过加热
、加压和超声波能量,破坏表面氧化层和污染,产生塑性变形,使界面亲密接触
,形成电子共享和原子扩散,从而形成稳定的焊点。 焊线所使用的材料,一般是金
、银
、铜、铝 。 黄金具有导电性能好、化学性能稳定、球焊速度快
、抗氧化、不与酸和碱发生反应等优点,但价格昂贵 ,使用占比在不断下降。 银比金便宜 ,但也还是有点贵 。 铝虽然成本较低
,但稳定性较差,良率相对较低。 铜的成本和性能比较均衡,目前使用较为普遍(尤其是在中低端产品)
。 清洗就不用说了
。 检测,除了借助低倍放大镜对产品外观进行检查之外 ,还可以进行AOI(自动光学检测)
。 AOI具有三大显著优势 : 一是检测效率特别高 ,可实现每分钟数百个元器件的全检 。 二是具备量化检测能力
,能记录缺陷尺寸、位置等数据
,便于工艺追溯与改进
。 三是可以检测人眼难以识别的微观缺陷,如焊点虚焊、微裂纹等。 在半导体封测领域,AOI一般有四次(四道)。 第一道光检是晶圆检测 ,第二道光检是颗粒外观缺陷检测
,第三道光检贴片/引线键合检测(就是现在这次) ,第四道光检是塑封外观检测(待会会做)。 下一步,就要进行模封。 这里要说一下,根据材料的不同,封装可以分为塑料封装、陶瓷封装和金属封装三种类型
。 陶瓷封装和金属封装的密封性好、散热性好
,但价格昂贵、生产周期长 ,所以主要用于航空航天和军事领域。 塑料封装的散热性
、稳定性
、气密性相对较差 ,但是重量轻、体积小
、价格便宜 ,所以目前仍然是民用商业化领域的主流选择。 我国半导体封装中,有90%以上采用塑料封装。而在塑料封装中,有97%以上利用环氧塑封料作为包封材料 。 环氧塑封料(Epoxy Molding Compound ,简称EMC),全称为环氧树脂(就是前面贴片工艺提到的那个)模塑料,是用于半导体封装的一种热固性化学材料。它能够很好地保护芯片,免受外界环境(水汽、温度
、污染等)的影响,实现导热 、绝缘、耐湿、耐压、支撑等复合功能。 模封有转移成型和液态封装两种工艺
。前者 ,是将环氧树脂塑封料熔融,在压力和温度的作用下,注入模具中
,把裸芯片给封起来
。后者,主要用于超薄或柔性封装
。 为确保芯片的稳定性和安全性,在一些特殊需求下
,会在其上安装一个金属保护盖,这一过程称为Lid Attach。此保护盖通常采用散热性能优异的合金制成
。 模封之后
,还要经过去溢料(De-flash)工艺
,目的是去除模封后在芯片周围的溢料。 去溢料的方法,主要是弱酸浸泡 ,高压水冲洗 。 去溢料之后,是后固化(Post-Mold Cure)工艺,在150–180°C下烘烤数小时,使塑封材料完全固化,提升机械强度 。 对于传统封装里的BGA(球栅阵列)封装,还要在芯片表面精确地放置焊料球(锡球)
,以实现芯片与电路板之间的电气连接。这个工艺叫做植球
。 这个球不是直接往基板上焊的 ,会用到锡膏或者助焊膏。 先用锡膏印刷到焊盘上,再在上面加上一定大小的锡球。这时 ,锡膏会粘住锡球。通过加热升温,可以让锡球的接触面更大 ,使锡球的受热更快更全面。这就使锡球熔锡后与焊盘焊接性更好,降低虚焊的可能性 。 (下期我们讲先进封装Bumping凸点工艺的时候,还会再讲到焊球。) 为了提升管脚的导电性、可焊性并增强其耐腐蚀性,减少外界环境潮湿和热的影响 ,会利用金属和化学的方法
,在管脚上镀上一层锡 、镍、钯
、金等材料
。 现在因为欧盟Rohs的要求,一般都采用无铅电镀 ,用的是99.95%的高纯度锡(Tin) 。 无铅电镀后的产品,会要求在高温下烘烤一段时间(退火) ,消除电镀层潜在的晶须生长(Whisker Growth)问题 。 切除多余框架材料。对于有引脚的封装类型(如SOP、QFP) ,需要将引脚弯折成标准形状。 在封装完成之后,会再次进行测试 。 在封装工艺之前的测试 ,是晶圆检测(CP
,Circuit Probing) ,又称中测。 在封装工艺之后的测试 ,是成品测试(FT,Final Test),又称终测。 成品测试是针对封装好的芯片,进行设备应用方面的全面检测 。这是一个重要环节,旨在确保芯片在正式出货前
,其功能和质量均达到预期标准。 与CP测试类似,FT测试同样依赖于ATE自动测试机台设备 ,同时辅以测试版和分选机等工具,共同确保测试的精准度和效率。 为了弥补ATE测试在复杂度和故障覆盖率方面的不足,还会引入SLT系统级测试
。 SLT测试基于芯片的实际应用场景进行设计,通过精心打造的测试板和严谨的测试流程
,力求模拟出真实的业务流环境,从而将芯片产品的缺陷率降至更低,提升用户的信任度
。 测试结束之后 ,可以打标(Marking)了 。 通过激光打印的方式,在芯片表面印上芯片生产商的Logo、产品名称、生产批次等信息
,方便后续使用过程中的辨识
。 根据客户的要求,将待测品从标准容器内分类包装到客户指定的包装容器内,并粘贴必要的商标,就可以发货出厂。要么是零售,要么是发给OEM厂商
。
图片传统封装的传统工艺流程
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减薄ing
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共晶粘接
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热超声焊过程
高密度引线的示例
AOI检测
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